4月27日晚，中微公司（688012）發佈2026年第一季度業績。期內，公司實現營業收入29.15億元，同比增長34.13%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為9.30億元，同比增長197.20%。

中微公司第一季度公司研發支出9.08億元，較去年同期增長約32.15%，研發支出占公司營業收入比例約為31.14%。

中微公司表示，公司在過去14年保持了營業收入年均增長大於35%、在2025年比2024年增長36.62%的基礎上，2026年第一季度營業收入繼續保持高速增長，同比增長34.13%，達到29.15億元。

中微公司解釋，第一財季公司針對先進邏輯和記憶體件製造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，先進邏輯器件中段關鍵刻蝕工藝和先進記憶體件超高深寬比刻蝕工藝實現量產。

此外，為先進記憶體件和邏輯器件開發的LPCVD、ALD等多款導體和介質薄膜設備已經順利進入市場，薄膜設備的覆蓋率不斷增加，新增付運量保持快速增長，並在客戶端持續應用在迭代產品上。

對於本財季淨利潤的高增，中微公司解釋，本期營業收入增長34.13%下，毛利較上年增長約2.60億元； 此外，公司本期出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產生稅後淨收益約3.97億元。

中微公司2026 年第一季度歸屬於母公司所有者的扣除非經常性損益的淨利潤約4.78億元，較上年同期增加1.79億元，增長60.09%。

中微公司披露，公司累計已有超過8300個反應臺在國內外180餘條客戶晶片及LED生產線全面量產。公司針對先進邏輯和記憶體件製造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升。

中微公司提到，在先進記憶體件製造工藝中，公司完全自主開發的針對超高深寬比刻蝕工藝的刻蝕機已有300多臺反應器實現了穩定可靠的大規模量產。CCP方面，用於關鍵刻蝕工藝的介質刻蝕產品持續保持高速增長，下一代90:1超高深寬比低溫刻蝕設備已運付客戶端進行驗證，公司已全面覆蓋記憶體刻蝕應用中各類超高深寬比需求；ICP方面，適用於新一代邏輯和存儲晶片製造用的第二代ICP刻蝕設備Primo AngnovaTM在 3D DRAM的應用中， 取得了140:1的高深寬刻蝕結果和形貌控制能力，並付運到國內領先存儲客戶端認證。全新的化學氣相刻蝕設備Primo DomingoTM實現大於700:1的業界領先SiGe/Si的高選擇比，在GAA和3D DRAM關鍵工藝的實驗室驗證中，展現優異的刻蝕性能，全面滿足客戶的各項工藝指標要求。

此外，中微公司在短時間內成功開發出十多種薄膜設備,包括LPCVD、ALD、EPI、 PVD CuBS和PECVD等產品在先進存儲和先進邏輯市場新增付運量保持快速增長。公司持續保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位，積極佈局用於SiC和GaN基功率器件應用的市場，並在Micro-LED和其他顯示領域的專用MOCVD設備開發上取得了良好進展。

來源：中國澎湃新聞