5月15日消息，據記者報導，臺積電院士、營運/先進技術暨光罩工程副總經理張宗生於5月15日在臺積電技術論壇中國臺灣專場上提到，臺積電今年將在中國臺灣與海外擴建9個廠，其中包含8個晶圓廠以及1個先進封裝廠。

目前臺積電3nm量產已經邁入第三年，張宗生指出，今年3nm產能預計年增加60%，2025年下半年將開始量產2nm。CoWoS持續擴充，海外美國廠與日本廠加入量產良率和臺灣母廠相近。

張宗生還提到，AI驅動晶圓需求持續放大，臺積電產能也在持續擴張。預計今年臺積電在中國臺灣與海外擴建9個廠，包含八座晶圓廠以及一座先進封裝廠。臺積電過去平均每年蓋5個廠，中國臺灣方面臺中Fab 25廠預計2028年量產2nm與更先進技術，高雄預計建五座晶圓廠包含A16與更先進制程技術。

在制程工藝方面，臺積電業務開發及全球業務的資深副總經理暨副共同營運長張曉強則表示，臺積電的技術路線圖具有可預測性，並且是客戶導向的。他們會提前宣佈未來兩三年的技術，以便客戶規劃產品。在N3 制程方面，已進入量產的第三年。持續有衍生的制程，例如N3E (提升性能）、N3B (提升性能與密度），以及未來針對HPC 的N3X (更高性能、更高頻率）。

而接下來的N2 制程客戶採用度非常高，第一年的是N3/N5 第一年的兩倍，第二年更是達到了四倍。越來越多的學術研究也開始採用最先進的制程。至於，新開發A14 制程預計到2028年進入大量生產。該先進制程相較於前一代N2，A14 的性能將提升10%，能源效率提升30%，邏輯密度增加超過20%。能源效率和邏輯密度的提升對於AI 和HPC 應用非常關鍵。A14 也結合了設計與技術的創新。

另外，在A16 制程方面，則是第一代採用背面供電（Super Power Rail，SPR）技術的制程。SPR 將電源網路放在晶圓的背面。A16 的研發進展順利，預計在2026年下半年進入量產。而A16 將為AI 和HPC 帶來很多優勢。至於，在未來電晶體技術上，臺積電研發團隊正在探索GAA (Gate-All-Around) 等創新技術。例如，使用C-Gate (Compound Gate) 材料製作的反相器已展現了優異的性能。材料方面也在研究低維度甚至2D 材料，以提供未來更多機會。

而為了應對AI 運算需求，需要更多的運算核心，這催生了3D 整合技術。臺積電已推出System-on-Wafer 的概念，利用整片晶圓作為仲介層（interposer），這相較於傳統封裝可帶來40倍的整合尺寸提升。同時，為了提升能源效率，光電整合是未來重要的方向。目前光電轉換多發生在機櫃頂部，未來目標是將光電元件與電子晶片整合在封裝層級。這能帶來額外約2倍的能源效率提升。

最後，除了最先進的邏輯制程，特殊制程技術也非常重要。張曉強強調，這包括感測器（sensor）、電源管理（power management，pivic technology）、射頻（RF），以及嵌入式內存（Embedded Memory）。嵌入式內存，特別是嵌入式非揮發性內存（eNVM），越來越多地整合到邏輯晶片中。主流的eNVM 包括RRAM (RM) 和MRAM (Magnetic friend)，它們與邏輯制程相容且易於微縮。這些技術能將內存儲存單元嵌入邏輯晶片中。

電源管理技術方面，高電壓技術很重要。將高電壓技術導入到較小的制程節點可以大幅降低功耗28%，並增加邏輯密度40%。臺積電的電源管理技術發展藍圖也著重於提升電壓能力。

來源：中國芯智訊