9 月 11 日消息，參考路透社此前報導，SK 海力士在一份聲明中表示，該企業目標在 2028 年將 High NA（高數值孔徑）EUV 光刻圖案化工藝應用於 DRAM 的大規模生產。

ASML 在當地時間本月 8 日宣佈與臺積電、三星電子、英特爾合作，推動 High NA EUV 生態系統轉向面積更大的 12 英寸掩膜（光罩）。SK 海力士正評估是否加入這一聯盟。

記者注意到，三星電子在同時新聞稿中確認計畫在 2028 年將 High NA EUV 技術用於先進 DRAM 記憶體的大規模生產；美光則曾表示，計畫為第 7 代 10nm 級 DRAM 工藝 1δ (1-delta) 導入最新一代的 EUV 光刻設備。

來源：中國IT之家