2026年以來，從手機到電腦，消費電子市場正經曆一輪由存儲晶片驅動的全面漲價。OPPO、vivo、蘋果、微軟等主流品牌先後調價，主流中端手機機型普遍提價300至1000元，部分專業數碼產品漲幅超過3000元。行業普遍認為，此輪漲價核心是AI算力需求爆發“虹吸”先進存儲產能，各大存儲廠商將多數產能投向高附加值AI存儲，消費級供給收縮，存儲價格暴漲直接傳導至終端。對於後續走勢，機構研判出現一定分歧——多家機構判斷高價格局至少延續至2027年，也有觀點認為價格見頂時間可能早於預期。
  
消費電子產品價格上漲
  
年內這輪漲價從手機產品開始。2026年3月10日，OPPO公告自3月16日起對A系列、K系列及一加部分已發售機型調價；3月16日，vivo發佈《關於vivo及iQOO部分產品建議零售價調整的說明》稱，受全球半導體及存儲成本持續大幅上漲的影響，上調部分產品建議零售價。
  
《經濟參考報》記者梳理發現，華為Nova16系列產品較上一代Nova15系列對應產品起售價上漲300元至500元；一加15系列等機型經歷兩輪調價，累計漲幅在400元至1100元；榮耀、OPPO、vivo、華為等品牌部分新一代中端機價格較上一代普遍上漲300元至1000元。
  
漲價很快傳導至電腦端。2026年6月25日，蘋果對MacBook、iPad全系實施全球漲價，中國市場整體漲幅約15%至25%。其中，Mac Studio漲幅最高，漲價3500元。目前，中國市場iPhone、Apple Watch、AirPods未參與調價。隨後，微軟宣佈自8月1日起調整Xbox主機全球價格，512GB版上漲100美元，1TB版上漲150美元，停產2TB版本。
  
業內人士指出，漲價或將抑制消費需求。7月，全球性市場研究公司Counterpoint Research發佈的初步數據顯示，2026年第二季度全球智能手機出貨量同比下滑11%，創2013年以來同期最低。該機構還維持全年出貨量下滑約14%的預測，並將市場大幅下滑的核心誘因歸結為移動存儲供應嚴重緊張。
  
終端產品價格上漲也傳導至消費電子上游零部件企業。業內人士指出，為控制整機成本，終端品牌為了優先保障SoC（系統級晶片）、存儲等核心配置，對面板、鏡頭等非核心零部件降規或減少採購。
  
深天馬A在2026年半年度業績預告中稱，預計公司上半年歸母淨利潤虧損7.20億元至7.50億元，上年同期為盈利2.06億元。公司在互動平臺回答投資者提問時表示，2026年上半年，存儲等電子元器件價格持續快速上漲，對消費電子終端需求和成本帶來階段性壓力，是上半年公司相關業務經營承壓的主要原因。
  
AI算力需求“虹吸”存儲產能
  
市場普遍認為，年內消費電子漲價的核心推手，是AI伺服器需求爆發帶來的存儲晶片產能結構性轉移。與過往由消費電子需求復蘇帶動的存儲週期不同，本輪漲價的核心邏輯在於：AI算力對高附加值存儲產品產生“虹吸效應”，直接擠壓了消費級存儲產品的供給空間，導致相關存儲產品價格一路飆升，最終傳導至手機、電腦等終端產品。
  
集邦諮詢（TrendForce）數據顯示，2026年第一季度，通用型DRAM（動態隨機存取記憶體）合約價格環比增長93%-98%，第二季度環比增長58%-63%；NAND（閃存顆粒）合約價格一季度環比增長55%-60%，第二季度環比增長55%-60%。
  
全球半導體觀察（DRAMeXchange）數據顯示，2026年6月通用PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易價格升至21美元。自2016年6月該機構開始追蹤此項數據（當時的價格為2.9美元）以來，漲幅已超過六倍，創下歷史新高。
  
微軟在宣佈Xbox主機漲價時明確指出，目前遊戲主機所用存儲和記憶體的價格已上漲2.5倍以上，公司預計到2027年秋季價格還會翻一番，成本壓力已無法通過內部消化承擔。
  
近日，SK海力士披露的2026年第二季度DRAM平均售價環比上漲約30%，NAND平均售價環比上漲約55%。SK海力士預計，2026年全球DRAM的需求量同比增速將達到約25%，NAND需求量增速將達到約16%-19%。
  
在此背景下，三星、SK海力士、美光等存儲晶片巨頭正紛紛加大資本投入，抓緊擴產。但從產能週期來看，存儲晶片製造是典型的“重資產、長週期”行業。業內專家表示，晶片製造投資巨大，短期內難以快速擴張。一般來說，新建存儲產能需要兩年左右。當前許多存儲晶片廠設備還存在瓶頸，實際產能釋放可能更久。
  
與此同時，AI算力需求的爆發催生了對HBM（高帶寬記憶體）、DDR5（第五代雙倍速率記憶體）以及AI企業級SSD（固態硬碟）等高附加值領域的巨量需求，相關產品利潤遠高於普通DRAM。各家存儲廠商雖紛紛擴產，但新增晶圓產能多數傾斜佈局高附加值HBM等產品，導致消費級DRAM及NAND產能被擠佔，實際有效供給增量稀缺。國際半導體產業協會（SEMI）中國總裁馮莉3月表示，2026年HBM市場規模預計增長58%至546億美元，占DRAM市場近四成，儘管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增產能傾斜至HBM，但HBM產能缺口仍達50%至60%。
  
高價態勢或將延續
  
對於存儲產品後續價格走勢，多家機構判斷，2026年三季度存儲晶片整體漲價幅度預計有所放緩，目前價格上漲對需求的抑制作用已經開始顯現。
  
謹慎觀點認為，消費端對高價的承受力已接近極限，價格見頂時間可能早於市場預期。集邦諮詢的報告顯示，2026年第三季整體DRAM格局持續極度緊缺，但因消費級應用需求下修及高基期作用，合約價漲幅收斂，預計將季增13%-18%。NAND主要需求仍由AI推理與大型數據中心建設支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預估整體NAND合約價將季增10%-15%，幅度較前幾季明顯縮減。
  
傑富瑞（Jefferies）7月28日發佈的研報指出，目前存儲晶片價格可能更接近峰值。雖然市場預計第三季度存儲晶片價格將環比再上漲25%-30%，但實際漲幅可能更溫和，或在15%-20%之間。分析師認為，大部分價格上漲是由雲服務提供商推動的，而消費電子產品製造商對進一步加價表現出疲態。2027年進一步環比上漲的前景可見度較低，存儲晶片價格見頂的時間可能早於預期。
  
也有部分機構認為，AI需求驅動的結構性緊缺仍將支撐高價態勢至少延續至2027年。國泰海通研報表示，存儲行業已經成為制約AI基建的關鍵瓶頸，AI需求驅動的結構性短缺貫穿全產業鏈，供需缺口仍在加深。2026年第三季度合約價漲幅放緩並非週期見頂信號，長期來看存儲價格的上漲趨勢有望延續至2027年。
  
中信證券研報認為，在AI需求帶動下，存儲仍處於超級景氣週期前中段，供不應求局面或至少持續至2027年。
  
瑞銀（UBS）近日發佈的行業調研顯示，2026年下半年，存儲晶片價格上行空間進一步擴大。該機構將DRAM合約價格預期上調，預計第三季度環比上漲32%，顯著高於此前17%的預期；預計第四季度環比上漲18%，此前預期上漲12%。NAND合約價格預期同樣被上調，預計第三季度環比上漲30%，此前預期上漲17%；預計第四季度環比上漲12%。
  
從供需結構來看，瑞銀認為DRAM行業供需緊張局面將至少持續至2028年上半年。2027年存儲晶片需求預計同比增長36.2%，而供給端增速僅為19.3%，供需缺口難以彌合。若不考慮下游客戶庫存回補的緩衝效應，2027年實際供需缺口將從2026年的-8.1%進一步擴大至-13.6%，失衡程度達到過去30年來罕見水準。
  
對於消費電子市場而言，漲價壓力將持續存在。業內人士指出，下半年發佈的新一代旗艦手機、筆記本電腦價格或進一步上漲，消費者換機週期可能進一步拉長。上游零部件行業分化還將持續，具備庫存優勢和定價能力的企業將受益於價格上漲，非核心零部件廠商則可能繼續面臨需求收縮壓力。

來源：經濟參考報