12 月 1 日消息，韓媒《朝鮮日報》11 月 28 日報道稱，SK 海力士明年除積極擴產 HBM 記憶體外也將全力擴充 HBM 以外的通用 DRAM 記憶體的產能，為此計畫充分利用手頭的晶圓廠空間。

SK 海力士的 HBM DRAM 新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州 M15X 晶圓廠上，而通用 DRAM 記憶體的新產能則將來自現有晶圓廠，包括清州 M8、利川 M10、利川 M14、利川 M16。

記者從報導瞭解到，這四座晶圓廠中清州 M8、利川 M10 屬於相對老舊的廠區，將最大限度地利用其空間；SK 海力士計畫對利川 M14 廠區進行制程升級改造，並啟用利川 M16 的剩餘部分。

韓媒預計，SK 海力士的通用 DRAM 產能將在 2026 年擴大至每月 7 萬片晶圓，但也有消息稱實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量 10 萬的 2027 年目標。

來源：中國IT之家