9月4日晚，半導體設備龍頭企業中微公司（688012.SH）公告稱，近日推出六款半導體設備新產品，這些設備覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關鍵工藝，包括兩款刻蝕設備和四款薄膜沉積設備。

在刻蝕設備方面，中微公司新一代極高深寬比等離子體刻蝕“利器”—— CCP電容性高能等離子體刻蝕機Primo UD-RIE ，基於成熟的Primo HD-RIE設計架構並全面升級，配備六個單反應臺反應腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，提供更高離子轟擊能量，可以滿足極高深寬比刻蝕的嚴苛要求，兼顧刻蝕精度與生產效率。

Primo Menova 12寸ICP單腔刻蝕設備專注於金屬刻蝕領域， 擅長金屬Al線、Al塊刻蝕，廣泛適用於功率半導體、記憶體件及先進邏輯晶片製造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設備。

在薄膜沉積設備方面，中微公司此次發佈的四款新品， 包括三款原子層沉積產品以及一款外延產品。其中推出的12英寸原子層沉積產品Preforma Uniflash金屬柵系列， 涵蓋 Preforma Uniflash® TiN、 Preforma Uniflash® TiAl 及 Preforma Uniflash®TaN 三大產品，能夠滿足先進邏輯與先進記憶體件在金屬柵方面的應用需求。

外延設備方面，中微公司推出的雙腔減壓外延設備PRIMIO Epita® RP，作為目前市場上獨有的雙腔設計外延減壓設備，其反應腔體積為全球最小， 且可靈活配置多至6個反應腔，在顯著降低生產成本與化學品消耗的同時， 實現了高生產效率。

中微公司表示，隨著半導體技術的迭代升級， 等離子體刻蝕、 原子層沉積及外延等技術的應用需求持續攀升。近日推出六款半導體設備新產品， 覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等關鍵工藝，可進一步滿足客戶需求，拓展公司產品佈局，為加速向高端設備平臺化公司轉型注入新動能，對公司未來半導體設備市場拓展和業績成長性預計都將產生積極的影響。

半年報顯示，中微公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。涉足半導體積體電路製造、先進封裝、LED外延片生產、功率器件、MEMS製造以及其他微觀工藝的高端設備領域。等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65至5納米及其他先進的積體電路加工製造生產線及先進封裝生產線。MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備製造商。近兩年新開發的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，目前已有多款產品進入市場並獲得大批量重複性訂單。

今年上半年，中微公司總營業收入49.61億元，同比增長43.88%；實現歸母淨利潤7.06億元，同比增長36.62%。

9月4日收盤，中微公司報收195.40元，跌7.83%。

來源：中國澎湃新聞