上市不足兩個月，長鑫科技（688825）擬進一步動用超募資金擴大研發及產業化投入，專案總投資達到349億元。

9月28日，長鑫科技公告稱，公司擬使用180億元超募資金投資建設兩個新專案，其中130億元用於新建技術研發專案，50億元通過向全資子公司增資和提供借款的方式，用於建設記憶體晶圓後道測試基地二期專案。上述議案已於9月28日經公司第二屆董事會第六次會議審議通過，尚需提交股東會審議。

公告顯示，長鑫科技此次IPO最終募集資金淨額為663.10億元，其中超募資金為368.10億元。截至目前，公司尚未使用超募資金。本次擬使用180億元，占超募資金規模的近一半。

其中，技術研發專案計畫總投資241億元，建設週期30個月，實施地點位於安徽省合肥經濟技術開發區新橋科技創新示範區長鑫12英寸記憶體晶圓製造基地內。公司擬使用超募資金130億元，主要用於設備購置，設備購置費在專案總投資中的占比達到92.94%。

長鑫科技表示，該專案主要用於技術研發，通過持續推進產品和制程工藝迭代，提升存儲密度、功耗控制以及讀寫性能，並加快新產品推出。由於專案屬於研發專案，公司未單獨測算投資回報，其經濟效益主要通過技術賦能主營產品、推動業務增長體現。

另一個專案則直接指向存儲晶片的後道測試環節。

公告顯示，長鑫科技擬投資建設“長鑫存儲產品（合肥）有限公司記憶體晶圓後道測試基地二期專案”，專案總投資108億元，建設週期37個月，計畫建設一座測試工廠，為DRAM存儲晶片提供測試以及模組組裝。公司擬通過向全資子公司長鑫存儲產品（合肥）有限公司增資和提供借款的方式投入50億元超募資金，其中50億元主要用於設備購置及安裝。

對於建設後道測試基地，長鑫科技在公告中表示，隨著公司產能持續提升、產品種類增加，未來可能面臨外部封測廠測試產能不足以及新增投資配套不足的問題。通過自建後道測試和模組專案，公司可以更加靈活地協調測試產能，降低DRAM晶片測試成本，並進一步完善IDM模式。

從資金投向來看，此次180億元超募資金並非單純擴充晶圓製造產能，而是同時加碼技術研發和後道測試兩個環節。一方面，公司希望通過研發投入推動DRAM產品和工藝持續迭代；另一方面，通過補充後道測試能力，進一步強化從前道製造到後道測試的產業鏈整合。

值得注意的是，長鑫科技此次IPO募資規模較大。公司首次公開發行股票最終募集資金總額為666.07億元，此前公司披露的募集資金主要投向記憶體晶圓製造量產線技術升級、DRAM記憶體技術升級以及動態隨機存取記憶體前瞻技術研發等專案。

在技術儲備方面，長鑫科技公告稱，截至2026年6月30日，公司擁有4484項境內專利和3400項境外專利，研發人員7491人，占員工總數超過33%。公司目前已實現第五代工藝技術平臺量產，並覆蓋DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等產品。

不過，長鑫科技也提示了相關風險，包括政策和專案審批變化、市場環境變化、專案建設進度不及預期以及研發技術難題等。對於後道測試基地二期，公司同時提示，如果新增產能無法按預期實現滿產，人力成本、設備折舊和廠房運維費用可能對階段性財務表現形成壓力。

此次180億元超募資金投入完成後，長鑫科技仍將保留約188億元超募資金。按照公告，公司將在相關審批程式完成後開立募集資金專用帳戶，並根據專案實施進度逐步投入資金。

9月28日收盤，長鑫科技報收53.80元，跌4.27%，總市值3.65萬億元。

來源：中國澎湃新聞