9 月 3 日消息，市場研究機構 TechInsights 本週二發佈的報告顯示，在 2024 年全球前 20 大半導體企業中，英特爾仍是最大研發（R&D）支出企業，三星電子研發支出增幅最大。

數據顯示，三星去年研發投入達 95 億美元（IT之家注：現匯率約合 678.57 億元人民幣），較 2023 年的 55 億美元增長 71.3%，排名從第七位升至第三位。

英特爾 2024 年投入 165.5 億美元（現匯率約合 1182.13 億元人民幣），但同比增幅僅為 3.1%，遠低於同行。英偉達則以 125 億美元（現匯率約合 892.85 億元人民幣）位列第二，同比增長 47%。

臺積電以 63.6 億美元（現匯率約合 454.28 億元人民幣）排名第七，同比增長 8.8%。SK 海力士連續第二年位列第十，研發支出 33.3 億美元（現匯率約合 237.86 億元人民幣），同比增長 32.7%。

其中，英特爾作為唯一一家在美國本土同時進行晶片設計和製造的企業，目前重點投入在於提升其 18A 工藝的良率，但該公司去年仍錄得 188 億美元（現匯率約合 1342.85 億元人民幣）虧損。

整體來看，2024 年全球前 20 大半導體企業合計研發投入 986.8 億美元（現匯率約合 7048.52 億元人民幣），同比增長 17%，約占行業總研發支出的 96%。其中 15 家企業增加了投入，5 家則有所削減。

從研發投入與營收占比來看，美國企業排名靠前，英特爾、博通、高通和 AMD 位居前列。前 20 家企業的平均比例為 15.8%。其中，三星為 11.7%，SK 海力士為 6.99%，為該組最低。其中 SK 海力士研發投入增長逾 32%，但由於營收幾乎翻倍，故研發投入占比反而有所下降。

TechInsights 預計，英偉達可能在明年超過英特爾，成為全球研發支出最高的半導體企業。英特爾去年將 33.6% 的營收投入研發，但其新任 CEO 陳立武已開始削減開支。相比之下，英偉達將 1156.2 億美元營收中的 10.8% 用於研發，並已連續四年大幅增加投資。

記者上個月還報導稱，相對於英特爾的巨額投入，其 18A 工藝目前仍存在良率偏低的風險。

根據 X 用戶 @Kurnalsalts 分享的數據，Intel 18A 工藝的邏輯電晶體密度僅 184.21MTr / mm²，是同行之中最低的。此前 TechInsights 分析的數據卻顯示，在高密度邏輯單元電晶體密度方面，臺積電 2nm 為 313 MTr / mm²、Intel 18A 為 238 MTr / mm²，三星 2nm 則為 231 MTr / mm²。

來源：中國IT之家