8 月 19 日消息，據韓媒 ZDNet Korea 報導，SK 海力士 EUV 材料技術人員當地時間本月 12 日出席技術會議時向媒體表示，該企業計畫於 2026 年首次導入 ASML 的 High NA EUV 光刻機。

SK 海力士的一位工程師表示該公司新近成立了一個 High NA EUV 研發團隊，正致力於將 High NA EUV 光刻技術應用到最先進 DRAM 記憶體的生產上。

綜合已有報導，在幾大先進邏輯制程與存儲半導體企業中，英特爾率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻機，其第二臺 High NA 機台也已在運至俄勒岡州研發晶圓廠的途中。

而臺積電和三星電子兩家企業用於研發目的的首臺 High NA EUV 光刻機也分別有望於 2024 年內、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。

來源：中國IT之家