11 月 28 日消息，參考德媒 Hardwareluxx 編輯 Andreas Schilling 在社交平臺分享的圖片，臺積電在本月 25 日於荷蘭阿姆斯特丹舉行的 2025 年 OIP（開放創新平臺）生態系統論壇歐洲場上分享了對首代定制 HBM 記憶體的看法。

與美光首席商務官 Sumit Sadana 的觀點類似，臺積電也認為定制 HBM 將在 HBM4E 時代正式落地，其對相關產品的稱呼是 C-HBM4E。

臺積電在 HBM4 時代提供了 2 種不同的 HBM Base Die（基礎裸片）制程方案，分別是面向主流市場的 N12FFC+ 和追求更高性能的 N5。

而在 C-HBM4E 上，為向基礎裸片集成 MC（記憶體控制器）以滿足節省計算晶片面積等需求，臺積電將提供 N3P 先進制程基礎裸片解決方案，宣稱可將能效提升至 HBM3E 基礎裸片的 2 倍左右。同時 C-HBM4E 的 Vdd 電壓將僅有 0.75V，較 HBM4 進一步降低。

來源：中國IT之家