7 月 6 日消息，杭州鎵仁半導體有限公司（下稱“鎵仁半導體”）今年 6 月宣佈，基於自研鑄造法單晶生長與 MOCVD 外延工藝，建成全球首條 6/8 英寸氧化鎵同質外延量產線，向頭部晶片客戶批量供貨。

在長晶環節，鎵仁半導體依靠全球獨創的鑄造法長晶技術，穩定生長出超厚氧化鎵晶體。結合公司超薄襯底加工技術，將襯底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，鑄造法也進一步降低了貴金屬銥的用量，使襯底單片成本較原來降低 80% 以上，顯著降低下游器件廠商的材料成本。

在外延環節，鎵仁半導體技術團隊針對（100）面特點優化關鍵工藝參數，設計特色 MOCVD 外延工藝，成為全球首家且唯一一家商用 6 英寸氧化鎵同質外延的供貨廠商。公司出品的 6 英寸氧化鎵同質外延片外延層厚度大於 10 μm，膜厚方差小於 1%，均勻性優異。

此前，氧化鎵同質外延片在全球範圍記憶體在尺寸小、產能低、均一性差等痛點，很難滿足產業化需求。鎵仁半導體此次不僅實現了 6 英寸氧化鎵同質外延片的全球首片交付，更是打通“單晶-襯底-外延”的全流程穩定量產能力，建成全球首條 6/8 英寸氧化鎵同質外延量產線，批次間品質穩定可控。目前海外多家企業和科研機構已陸續下單，多家合作客戶已進行了長期穩定採購。

▲ 6 英寸氧化鎵同質外延片已實現批量供貨（右下角為鎵仁 2 英寸外延片對比樣）

記者查詢公開資料獲悉，杭州鎵仁半導體有限公司是一家國產氧化鎵材料與設備解決方案提供商，專注於超寬禁帶半導體領域的技術研發與產業化落地。該公司核心產品包括：2-8 英寸氧化鎵單晶與襯底（其中 8 英寸為國際首發）、氧化鎵垂直布裏奇曼法（VB 法）長晶設備、2-8 英寸氧化鎵同質外延片（其中 8 英寸為國際首發）等，致力於構建“設備-晶體-襯底-外延”全鏈條產品體系。

來源：中國IT之家