網綜合  Hyunjoo Jin 報導 四位知情人士透露，三星電子和SK海力士正在升級其中國工廠，以生產更先進的存儲晶片，旨在抵禦一家快速成長的中國競爭對手的挑戰，並滿足巨大的人工智慧需求。

自2022年美國為遏制中國技術進步而開始對部分晶片製造設備實施出口管制以來，向中國業務投入多少資金已成為這兩家韓國半導體巨頭面臨的一個棘手問題。

如今，這兩家公司若想在中國安裝美國製造的設備（如刻蝕機），必須每年申請美國許可證。美國商務部工業與安全局還表示，2025年起，該局不打算向這些外國晶片製造商在中國工廠的技術升級和產能擴張專案發放許可證。

這些監管難題限制了它們改造工廠的能力，並導致市場份額被長江存儲科技（YMTC）蠶食。這兩家韓國晶片製造商的高管曾公開警告稱，地緣政治緊張局勢正在削弱其在中國市場的運營。

三星和SK海力士在聲明中證實，升級工作正在進行中，且是在與華盛頓密切磋商的情況下進行的，但未披露本文首次報導的生產計畫細節。

不過，目前無法確定美國當局在多大程度上批准了三星和SK海力士計畫升級所需的設備出口許可證。

據知情人士透露，兩家公司正致力於在其中國工廠生產層數超過200層的NAND閃存晶片，這將使它們的生產水準與韓國本土保持一致。

NAND是一種斷電後仍能保留數據的存儲晶片，廣泛應用於智能手機、個人電腦以及人工智慧數據中心的固態硬碟。單顆晶片的層數越多，存儲密度越高，單位成本也越低。

三星將目光投向286層晶片

據其中兩位知情人士透露，三星位於中國西北部的西安工廠占該公司全球NAND產量的約40%，目前生產的晶片層數約為200層。

其中一位知情人士表示，作為內部代號為“Monami”（源自法語“我的朋友”）專案的一部分，三星正在對該工廠進行改造，以生產286層V9 NAND晶片，目標是在今年12月實現月產5000片晶圓，隨後到2027年12月將產量提升至40000片。

三星表示此次升級符合美國出口法規，並補充道：“此次升級旨在滿足包括美國客戶在內的全球客戶日益增長的需求。公司並未擴大生產能力，也未新建製造工廠。”

三位知情人士透露，SK海力士正計畫將其位於中國東北地區大連的工廠轉產240層及以上NAND產品。

其中一位知情人士稱，該公司目前在該地生產的是192層產品。

SK海力士於2021年收購英特爾NAND業務時一併獲得了大連工廠，該工廠仍是該業務（現更名為Solidigm，正籌備在美國進行首次公開募股）唯一的NAND晶片製造基地。

其中一位知情人士稱，該公司已獲准在大連生產最高達240層的晶片，並可能向華盛頓申請許可，以便在那裏對300層以上的晶片進行研發，這將有助於為未來在美國的生產奠定基礎。該公司正在就美國新建NAND工廠的計畫與特朗普政府進行磋商。

美國商務部工業與安全局並未直接回應關於韓國晶片製造商審批進展的提問。該局將問詢轉至其2025年的聲明，聲明中稱該局打算批准這些企業在中國運營現有工廠的許可申請，但不允許其擴大產能或升級技術。

YMTC取得進展

當三星和SK海力士還在權衡應向其中國工廠投入多少資金時，YMTC已取得了長足進步。

據研究機構Omdia數據顯示，YMTC在第二季度佔據了中國NAND市場38.5%的份額，較2025年全年的28%有所上升，並超越了三星。相比之下，三星的市場份額從36%下滑至33.5%，而SK海力士的市場份額則從20%降至17%。

據兩位知情人士透露，YMTC的產品線主要以160層和232層NAND晶片為主，也少量生產294層晶片，並計畫製造超過300層的產品。

在中國以外的市場，三星銷售的NAND閃存晶片層數最高達286層，並於8月發佈了一款層數超過400層的NAND閃存晶片原型。SK海力士銷售的NAND閃存晶片層數最高達321層。