2月9日，第三方市場研究機構Counterpoint發佈的《2月記憶體價格追蹤報告》顯示，與2025年第四季度相比，截至2026年第一季度目前，記憶體價格已暴漲80%-90%，其中DRAM、NAND及HBM均創下歷史新高。

Counterpoint指出，本輪上漲的主要推手是通用伺服器DRAM價格大幅攀升。此外，第四季度表現相對平穩的NAND閃存，在第一季度也同步上漲 80%–90%。疊加部分HBM3e產品價格走高，市場正呈現全品類、全板塊全面加速上漲態勢。

由於DRAM價格高漲，Counterpoint在報告中稱，2025年第四季度，傳統DRAM利潤率已超過HBM；預計2026年第一季度，廠商營業利潤率將觸及歷史峰值，同時實現創紀錄的盈利水準。

以伺服器級記憶體為例，64GB RDIMM合約價已從去年第四季度的450美元，飆升至今年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破 1000美元關口。

此外，高盛近日大幅上調了DRAM供應短缺預期，最新預測顯示，2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9%和2.5%，遠超此前預期的3.3%和1.1%。其中，“2026年的供應短缺將是過去15年以來最嚴重的一次。”

不過，存儲晶片價格上漲，對原始設備製造商（OEM）帶來很大壓力。

Counterpoint高級分析師Jeongku Choi 強調：“對設備廠商而言，這是雙重打擊——零部件成本上漲疊加消費者購買力減弱，隨著本季度推進，需求很可能放緩。這就要求原始設備製造商（OEM）改變採購模式，或聚焦高端機型，通過為消費者提供更多價值來支撐更高的產品定價。”

Counterpoint指出，智能手機廠商正在削減設備DRAM容量，或採用性價比更高的QLC方案替代TLC固態硬碟。與此同時，目前供應緊張的LPDDR4訂單明顯下滑，而支持最新DRAM標準的全新入門級晶片陸續推出，帶動LPDDR5訂單持續增長。

除了記憶體減配外，由於市場需求疲軟，各大手機廠商今年都傳出下調全年手機出貨量。

Jeongku Choi進一步指出：“記憶體行業盈利水準預計將達到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM營業利潤率已達到60%區間，這是通用DRAM利潤率首次超過HBM。2026年第一季度，DRAM利潤率將首次突破歷史峰值。儘管如此，這一水準要麼成為新的常態，要麼形成極高的基準——當前看似穩固，但一旦進入下一輪下行週期（若發生），市場表現可能會更加慘澹。”

來源：中國澎湃新聞