對於當下這波存儲晶片漲價週期，機構暫未看到勢頭減弱的跡象，“傳統產品”的價格也迎來“翻身”。

近日，華爾街知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）發佈研報指出，傳統存儲晶片的供需缺口正在持續擴大，從2025年第二季度至2026年，行業正在迎來新一波超級週期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等記憶體產品供應緊張態勢加劇，市場暫無悲觀理由。

報告指出，由於先進制程存儲產品（如DDR5、HBM）產能需求強勁，成熟制程產能分配受到擠壓。2026年1月，頭部企業對DDR4晶片的採購表現積極，受供應限制，其一季度價格漲幅可能達50%，漲勢將延續至二季度；而隨著產能向DDR4轉移，也將導致高密度DDR3晶片嚴重短缺，帶動相關供應商業績增長。

閃存晶片方面，摩根士丹利預計NOR Flash的報價在2026年一季度上漲20%至30%，漲價趨勢或延續至2026年下半年；而隨著常規NAND Flash供應大幅縮減，其細分類別MLC與SLC NAND一季度價格漲幅將超50%，採用先進制程工藝的高密度SLC NAND價格漲勢也將在同期跟進。

基於相似的理由，摩根大通分析團隊在最新報告中維持了對內存巨頭SK海力士的“增持”評級，並將2026年12月的目標價從此前的80萬韓元上調至100萬韓元。分析師指出，AI（人工智慧）記憶體需求的長期增長趨勢未變，再加上潛在的美股上市計畫，將成為推動SK海力士股價上漲的雙重催化劑；未來3至6個月內，強勁的定價動能將推動公司的盈利預期上調，預計2026至2027財年的每股收益（EPS）將有20%至25%的向上修正空間。

此前，已有多家機構預計，隨著AI數據中心的高端存儲產品需求持續擠壓市場，預計存儲晶片價格將在2026年繼續走高。

市場研究機構Counterpoint在今年1月的報告中指出，記憶體市場已經進入“超級牛市”階段：“當前的狀況超過了2018年的歷史高峰，供應商的影響力達到歷史新高，這主要源於對AI和服務器容量的無盡需求。預計記憶體價格在2025年第四季度激增40%至50%，還將在2026年第一季度上漲40%至50%，在第二季度上漲20%左右。”

Counterpoint認為，雖然相關廠商在增加資本投入，但產能增長存在顯著的時間延遲，導致嚴重的供需失衡。預計2026年DRAM記憶體產量將同比增長24%，不過，仍需要一段時間來滿足需求。

市場研究機構IDC也在去年12月的報告中表示，2025年底，全球半導體生態系統經歷了前所未有的記憶體晶片短缺，這一連鎖反應可能持續到2027年。IDC預計，2026年DRAM和NAND的供應增長率將低於歷史平均水準，同比分別為16%和17%。

IDC的分析師團隊寫道：“這並非只是供需錯配引發的週期性短缺，而可能是全球矽晶圓產能一次潛在的、永久性的戰略再分配。數十年來，用於智能手機和個人電腦的DRAM與NAND閃存一直是存儲產能的主要驅動力。如今，這一動態已經逆轉。微軟、穀歌、Meta和亞馬遜等超大規模服務商對HBM的貪婪需求，已迫使三大記憶體製造商（三星電子、SK海力士和美光科技）將有限的淨室空間和資本支出轉向利潤率更高的企業級組件。這是一場零和博弈。”

來源：中國澎湃新聞